Descripción
- Diseño VRM Optimizado: ¡Dr.MOS es la solución de etapa de potencia integrada que está optimizada para aplicaciones síncronas de voltaje de reducción de inversión! En comparación con los MOSFET integrados tradicionales, proporciona de manera inteligente una corriente más alta para cada fase, proporcionando así un resultado térmico mejorado y un rendimiento superior.
- Compatibilidad con DDR5 XMP y EXPO: Derivado del concepto de diseño «construido para ser estable y confiable», ASRock no compromete ningún detalle. Esta placa base está construida con materiales de baja pérdida, los aficionados pueden disfrutar del impulso del rendimiento de sobreaceleración de la memoria DDR5 hasta habilitar los perfiles probados previamente.
- Memoria DDR5 con circuito de protección: Debido a la arquitectura eléctrica única de DDR5 DIMM, existe un alto riesgo de dañar el módulo de memoria si la alimentación de CA no se desconecta correctamente durante la extracción o instalación. Para evitar esto, ASRock ha implementado un circuito de protección sin problemas en cada placa base DDR5, lo que reduce el riesgo de dañar el módulo de memoria.
